Vladlogistik.ru

В 2018 году, применяя 96-слойную конструкцию памяти 3D NAND и четырёхбитовую ячейку QLC, компании Toshiba и Western Диджитал собираются осуществить изготовление кристаллов энергонезависимой памяти ёмкостью 768 Гбит. До священного терабита на 1 микролит осталось немного. Завоевать данный этап вполне прогнозируемо планирует организация «Самсунг».

Эталоны 96-слойной памяти Toshiba BiCS4 3D NAND

На текущем саммите Flash Memory Summit 2017 пионер по подготовке и групповому изготовлению двухслойной памяти 3D NAND рассказал, что изготовление 1-Тбит кристаллов стартует в 2015 году. Любопытно, что организация «Самсунг» не рассчитывает повышать насыщенность расположения ячей в любом покрове, впрочем говорит о значимости прохода на запись в каждую ячейку четырёх бит данных. Пока, в компании не открыли подобных компонентов, как количество слоёв у 1-Тбит 3D NAND, впрочем рассказали, что пропускная дееспособность чипов возвысится до 1,2 Гбит/с.

Эталоны 64-слойной памяти «Самсунг» 3D NAND

Также в «Самсунг» сознались, что 1-Тбайт кристаллы будут по-новому укладываться в многокристальные системы (стеки). В настоящее время в стеке может располагаться до 16 кристаллов. Свежие стеки будет иметь до 32 кристаллов. Это значит, что будут малогабаритные однокорпусные решения шириной менее 2 миллиметров и объёбог до 4 Тбайт! Без проблем представить, что с такими заключениями изготовление 128-Тбайт 2,5-дюймовых SSD закончит быть фантастикой. Однако это далеко не откладывает неприятность процесса. Для упаковки в магазин 32 кристаллов 3D NAND создатели ввели особый нижний пласт для проводной обвязки кристаллов в стеке.

Несколько слов на саммите представители «Самсунг» отдали фирменной памяти Z-NAND. Память Z-NAND организация позиционирует как соперника памяти Intel 3D XPoint. В то же самое время механизм работы у Z-NAND и 3D XPoint кардинально различается. Память Intel применяет для записи данных качества препаратов с изменяемым фазисным положением, но память «Самсунг» Z-NAND — это улучшенная определённым стилем стандартная двухслойная 3D NAND. Рост мощности Z-NAND по отношению к 3D NAND выражается тем, что в базе Z-NAND находится однобитовая клетка SLC и особым стилем улучшенные контроллеры. В общем это даёт отличные характеристики по скорости доступа. Скрытность у рабочих примеров SSD на Z-NAND понижена до 15 мкс. Накопители Intel Optan DC P4800X в режиме чтения, напоминаем, характеризуются задержками на уровне 10 мкс. Не значительно лучше решений «Самсунг».

Эталоны SSD «Самсунг» на памяти Z-NAND

Квалифицированные образцы SSD на памяти Z-NAND организация «Самсунг» поставляет подобным заказчикам, как компании NetApp и Datera. В следующем году «Самсунг» гарантирует выпустить память Z-NAND с записью 2-ух бит данных в ячейку. Это сделает накопители на Z-NAND выгоднее, впрочем, как признают создатели, также приведёт к определенному повышению латентности. Добавим также, в компании рассчитывают заметить память с латентностью менее одной микросекунды при проходе наизусть вида MRAM и PRAM. В «Самсунг» разрабатывают магниторезистивную память и память на базе вещества с изменяемым фазисным положением с 2002 года и продолжают думать эти назначения многообещающими. Однако это иная история.